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Miércoles, 2 de abril de 2008. Transistor IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor. El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo. Que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo. Con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar. Combinando una puerta aislada FET. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos.
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Miércoles, 2 de abril de 2008. Transistor IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor. El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo. Que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo. Con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar. Combinando una puerta aislada FET. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos.CONTENT
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